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一种具有温度补偿的SiC MOSFET短路检测电路和方法

摘要

本发明实施例提供了一种具有温度补偿的SiC MOSFET短路检测电路和方法。该检测电路包括:参考电压产生电路、短路检测电路、短路检测电路、SiC MOSFET和软关断电路;参考电压产生电路通过正温度系数热敏电阻,根据环境温度及SiC MOSFET结温变化产生不同的参考电压,并将参考电压输入短路检测电路,逻辑信号处理电路通过FPGA产生两种不同的故障检测盲区时间发送到短路检测电路,短路检测电路在短路工况下,基于饱和压降和逻辑处理检测SiC MOSFET的短路故障,输出故障信号,并产生驱动信号发送到软关断电路,软关断电路接收驱动信号后,将SiC MOSFET在短路工况下进行安全关断。本发明能够快速响应,灵活设置盲区时间,提高SiC MOSFET应用的可靠性,满足大功率SiC MOSFET驱动保护的使用需求。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/02 申请日:20181101

    实质审查的生效

  • 2018-12-21

    公开

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