一种超级结MOSFET结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种超级结MOSFET结构及其制造方法，该MOSFET结构包括：A型衬底、形成于所述A型衬底上的A型外延层以及形成于所述A型外延层中的B柱，所述A型外延层包括第一A型外延层以及至少一层第二A型外延层，所述B柱包括深槽蚀刻段以及至少一段外延层段，所述第二A型外延层的层数与所述外延层段的段数相对应，所述B柱的深槽蚀刻段采用深槽蚀刻工艺和B型外延工艺形成，所述B柱外延层段采用B型离子注入工艺形成，所述深槽蚀刻段与外延层段采用高温退火工艺连接起来。本发明能降低加工难度和减少加工的步骤，有利于提升加工效率和良品率。