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一种晶态三氧化钨/钛掺杂非晶态氧化钨纳米线阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶态三氧化钨/钛掺杂非晶态氧化钨纳米线阵列,其具有核壳结构,其中晶态三氧化钨纳米线为核,采用溶剂法获得;非晶态钛掺杂氧化钨薄膜为壳,采用可变温的磁控溅射法获得;晶态三氧化钨纳米线长度为300‑1000nm,直径为20‑50nm;钛掺杂非晶态氧化钨纳米壳层被均匀地包覆在晶态氧化钨纳米线上,复合后直径在30‑150nm范围内调控。本发明利用磁控溅射方法将钛掺杂氧化钨薄膜均匀沉积在三氧化钨纳米线表面,得到核壳结构电致变色材料,该结构具有优异的电致变色性能,具有良好的稳定性,并且对比度高、转换速度快。

著录项

  • 公开/公告号CN109021962A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN201811003318.X

  • 申请日2018-08-30

  • 分类号C09K9/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);C23C14/08(20060101);C23C14/35(20060101);C23C18/12(20060101);

  • 代理机构11212 北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人沈尚林

  • 地址 230000 安徽省合肥市屯溪路193号

  • 入库时间 2023-06-19 07:46:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K9/00 申请日:20180830

    实质审查的生效

  • 2018-12-18

    公开

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