基于数据模式或不均匀性选择性提升存储器沟道中的电流

摘要

提供了基于数据模式或诸如不均匀的沟道宽度的物理不均匀性模式来在感测操作期间增强存储器串的沟道中的电流的技术。在一个方面中，感测电路针对典型地将元数据储存在高编程状态中的存储器串进行修改。这些感测电路中的位线钳位晶体管可以配置有相对低的阈值电压，导致相对高的钳位电压，这继而造成在感测期间的更高的串电流。更低的阈值电压可以通过更短的控制栅极长度、更小的氧化物厚度、更低的氧化物介电常数或者更大的源极和/或漏极掺杂浓度中的至少一个来实现。在另一方面中，被期望为通常储存高状态的数据的存储器串以相对更厚的沟道和/或更大的掺杂浓度来制造。