首页> 中国专利> 一种Film sensor ITO图形及其制作方法

一种Film sensor ITO图形及其制作方法

摘要

本发明公开了一种Film sensor ITO图形,包括:ITO通道图形,其蚀刻在ITO导电薄膜的ITO层上视窗区内的ITO通道区;ITO Dummy块图形,其蚀刻在ITO导电薄膜的ITO层上视窗区内的ITO图案区,且位于ITO通道图形之间;导电银浆图形,其位于围绕视窗区的边框区,并与ITO通道图形导通;增加ITO Dummy块图形,其蚀刻在ITO层上,且位于导电银浆图形与ITO通道区的搭接处;ITO导电薄膜沉积在Film基材上,包括基材层以及设置于基材层上的ITO层。本发明还提供了一种Film sensor ITO图形的制作方法。本发明的有益效果:对Film sensor生产过程中产生的静电击伤不良有较好的防护及转移,避免因静电导致的ITO损伤、断裂、脏污现象,减少功能不良、外观不良的风险。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F3/041 申请日:20180720

    实质审查的生效

  • 2018-12-11

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号