用于形成低温半导体层及相关半导体器件结构的方法

摘要

公开了一种在低温下形成具有良好膜闭合的金属氮化物膜的方法。所述方法可以包括利用等离子体形成NH和NH2自由基以允许在低温下形成所述金属氮化物。所述方法还可以包括使蚀刻气体流动以产生具有均匀厚度的无定形膜。所述方法还可以包括使烷基肼流动以抑制所述金属氮化物膜的三维岛状生长。