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一种多次可编程(MTP)存储单元结构及其制作方法

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本发明揭示了一种多次可编程(MTP)存储单元结构及其制备方法，包括栅极层(1)、衬底层(4)和位于栅极层(1)与衬底层(4)之间的浮栅层(5)，在栅极层(1)与浮栅层(5)之间、以及浮栅层(5)与衬底层(4)之间分别设有氧化层(3)，其特征在于：所述浮栅层(5)分成若干块子浮栅层(7)，且相邻两块子浮栅层(7)之间填充有绝缘介质(8)。本发明旨在增强多次可编程(MTP)存储单元的可靠性，减小老化对浮栅器件的影响，提升器件的使用寿命。

著录项

公开/公告号CN108962899A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-07

原文格式PDF
申请/专利权人智瑞佳(苏州)半导体科技有限公司;
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申请/专利号CN201710386417.X
发明设计人朱明皓;李瑞钢;
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申请日2017-05-26
分类号
代理机构苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人丁秀华
地址 215123 江苏省苏州市工业园区唯亭镇西区星澄路9号
入库时间 2023-06-19 07:35:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11521 申请日:20170526

实质审查的生效
2018-12-07

公开

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1. 一种多次可编程(MTP)存储单元结构及其制作方法 [P] . 中国专利： CN108962899B . 2021.12.17
2. 一种多次可编程(MTP)存储单元结构及其制作方法 [P] . 中国专利： CN108962899A . 2018-12-07
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机译： P通道多次可编程（MTP）存储单元
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