首页> 中国专利> 基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统

基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统

摘要

基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统,涉及一种基于小像元尺寸探测器的虚拟大满阱TDI CMOS成像系统,本发明解决现有的小像元存在满阱电荷数过低,信噪比不高的问题,包括多谱段TDI CMOS探测器、成像控制器和外部存储器;成像控制器产生多谱段TDI CMOS探测器的工作时序,进行TDI工作模式的控制,同时接收多谱段TDI CMOS探测器输出的经过了模拟电荷域TDI叠加的多谱段图像数据,采用外部存储器进行数字域TDI工作模式叠加;采用模拟电荷域TDI结合数字域TDI的方式来突破小像元尺寸的满阱电荷数少的约束,设计分区曝光成像的TDI CMOS探测器结构,根据TDI积分方向和TDI级数选择设计TDI积分过程的控制方式和数据缓存方法,形成虚拟的大满阱电荷数的TDI CMOS图像探测器成像系统。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N5/374 申请日:20180622

    实质审查的生效

  • 2018-12-07

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号