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一种具有无Cd缓冲层的CIGS太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有无Cd缓冲层的太阳能电池及其制备方法,包括依次设置的基底、背电极层、CIGS吸收层、缓冲层、透明导电层、顶电极,其中,所述缓冲层为Zn基化合物Zn(S,O)。本发明的缓冲层采用Zn基化合物,生产过程没有Cd参与,更加环保、可靠;缓冲层采用Zn(S,O),具有更宽带隙,可以更有效利用太阳光提升电流密度从而增加电池效率;缓冲层与其他膜层的生产工艺相匹配,同属真空干法,提高了生产效率,有利于大规模生产,提高产能。

著录项

  • 公开/公告号CN108831934A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司;

    申请/专利号CN201810661011.2

  • 发明设计人 张立强;

    申请日2018-06-25

  • 分类号

  • 代理机构北京中政联科专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈超

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣昌东街7号院6号楼3001室

  • 入库时间 2023-06-19 07:17:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-17

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0216 申请公布日:20181116 申请日:20180625

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-12-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0216 申请日:20180625

    实质审查的生效

  • 2018-11-16

    公开

    公开

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