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一种用电流差值来判断IDDQ测试的方法

摘要

本文公开了一种用电流差值△IDDQ(MAX(IDDQ_1,IDDQ_N)‑MIN(IDDQ_1,IDDQ_N))来判断IDDQ测试结果,用于提高IDDQ故障以及桥接故障的测试覆盖率。本方法可以改进现有只用两个测试点的差值判断IDDQ,拓宽到任意个测试点。从而通过追加测试点提高IDDQ测试的测试覆盖率。同时使用电流差值作为判断IDDQ测试的依据,可以减轻IDDQ测试单纯判断电流大小,在深亚微米工艺条件下背景电流大的缺点。进而保证在芯片量产时存在工艺偏差的背景下能够稳定量产。

著录项

  • 公开/公告号CN108776296A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810670264.6

  • 发明设计人 赵来钖;

    申请日2018-06-26

  • 分类号G01R31/28(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 102209 北京市昌平区北七家镇未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋

  • 入库时间 2023-06-19 07:04:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/28 申请日:20180626

    实质审查的生效

  • 2018-11-09

    公开

    公开

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