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一种毒三素链霉菌发酵高产利普司他汀的培养基及方法

摘要

本发明涉及一种毒三素链霉菌发酵高产利普司他汀的培养基及方法,具体涉及一种用于提高毒三素链霉菌生产利普斯他汀的培养基,该发酵培养基中包含大孔树脂,还涉及发酵工艺,包括以下步骤:将毒三素链霉菌(Streptomyces toxytricini)经斜面活化和种子扩大培养后,接种至发酵培养基中,发酵培养,获得代谢产物利普斯他汀。本发明通过对毒三素链霉菌的发酵培养基进行改良,添加大孔树脂到发酵培养基中解除产物抑制作用,为微生物提供有利的生长环境,促进发酵产物产量的提高,消除代谢产物利普斯他汀堆积对菌体生长的影响,使得发酵培养基更加适合菌体生长,显著提高利普斯他汀的产量,本发明操作简单,有效克服现有发酵方法的不足,便于大规模工业生产,降低生产成本。

著录项

  • 公开/公告号CN108753861A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福建省微生物研究所;

    申请/专利号CN201810586360.2

  • 申请日2018-06-08

  • 分类号

  • 代理机构福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人宋连梅

  • 地址 350000 福建省福州市仓山区进步路25号

  • 入库时间 2023-06-19 07:04:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C12P17/02 申请日:20180608

    实质审查的生效

  • 2018-11-06

    公开

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