法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-28
授权
授权
2018-11-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20180618
实质审查的生效
2018-11-06
公开
公开
机译: 一种与CMOS工艺兼容的高增益垂直双极结型晶体管结构的制作方法
机译: 制造具有光散射层的基质的方法,由同一层制造的具有光散射层的基质以及包括具有光散射层的有机发光二极管的方法
机译: 用于在机动车辆的上表面俯瞰指示器单元或成像单元上提供反射光的照明装置,其光源具有光箔,其中光箔具有有机发光二极管