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公开/公告号CN108774747A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏博敏电子有限公司;重庆大学;
申请/专利号CN201810601741.3
发明设计人 付登林;陈际达;鲁蓝锶;文亚男;鄢婷;廖超慧;盛利召;覃新;
申请日2018-06-12
分类号
代理机构苏州市新苏专利事务所有限公司;
代理人孙怀香
地址 224100 江苏省盐城市大丰区开发区永圣路9号
入库时间 2023-06-19 07:04:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-04
实质审查的生效 IPC(主分类):C25F3/14 申请日:20180612
实质审查的生效
2018-11-09
公开
机译: 用于铜箔的蚀刻液,使用铜箔的已知蚀刻液生产印刷线路板的方法,用于电解铜层的蚀刻液以及用于电镀铜的铜柱状蚀刻液的生产方法
机译: 电解蚀刻液的电解复新工艺
机译: 电解电容器用铝箔的蚀刻液及其使用的蚀刻方法
机译:膜电解在印刷电路板生产中铜蚀刻液的再生
机译:用于制备具有增强的非水电解质电化学性能的MxENE的一般路易斯酸性蚀刻途径
机译:一种新的超细电路FPC制造电解抛光技术。美国和技术公司(化学制造商)的技术蚀刻(基板制造商)正在开发
机译:通过切割方法制备中空微针的制备,电解蚀刻锐化
机译:非水电解质中硅的光电化学蚀刻。
机译:发行人注:撤回和归纳 UV引发的自由基光聚合反应:一种用于制备储能设备的聚合物电解质膜的智能工具
机译:作者校正:一般的路易斯酸性蚀刻途径,用于制备具有增强的非水电解质的电化学性能的MxEN
机译:用于制备铋和锑及其合金样品的电解抛光和蚀刻技术:材料和结构