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公开/公告号CN108751977A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 渭南师范学院;
申请/专利号CN201810710417.5
发明设计人 刘展晴;
申请日2018-07-02
分类号C04B35/45(20060101);C04B35/462(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/624(20060101);
代理机构11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人汤东凤
地址 714099 陕西省渭南市朝阳大街西段
入库时间 2023-06-19 07:03:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/45 申请日:20180702
实质审查的生效
2018-11-06
公开
机译: 高介电常数,低介电损耗的陶瓷材料,用作DRAM的电荷存储材料,包含钛酸锶和铌酸铅镁的混合物
机译: 一种用于氧化钛组合物的具有高介电强度和低介电损耗的致密的细粒体的制造方法
机译: 于钛氧基马森的具有高介电强度和低Feinkoergen介电损耗的致密结构的制造方法
机译:介电常数大且介电损耗低的钛酸锆钛酸酯/碳纳米管复合材料的放电等离子体烧结
机译:巨大修饰的SRTIO3无铅陶瓷材料中的巨大介电常数和高绝缘电阻率,具有低介电损耗
机译:掺氟钛酸钙铜陶瓷的介电损耗角正切和晶界效应降低
机译:镍/钛酸铜铜/聚偏氟乙烯复合材料的介电性能
机译:掺杂,阳离子化学计量和加工条件对高K钛酸铜铜陶瓷的介电性能的影响。
机译:热氧化单晶硅晶片的巨大介电常数和低介电损耗
机译:热塑性聚氨酯/铅锆钛酸钛酸盐/碳纳米管复合材料具有非常高的介电常数和低介电损耗
机译:利用γ辐照开发高介电常数,低介电损耗聚合物。