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基于增强高阶共振模吸收率的多带超材料吸收体设计方法

摘要

本发明公开了一种基于增强高阶共振模吸收率的多带超材料吸收体设计方法,涉及超材料领域。基于增强高阶共振模吸收率的多带超材料吸收体设计方法应用于所述超材料吸收体中,所述超材料吸收体顶层包括一周期性微结构,所述周期性微结构至少由一对基本结构单元组成;缩小所述超材料吸收体顶层的周期性微结构中至少一对基本结构单元的间距。本发明通过缩小至少一对基本结构单元的间距形成近场耦合从而达到提高该基本结构单元的高阶等离子激元共振模式的吸收率的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN108732748A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201810560923.0

  • 发明设计人 董士奎;赵磊;杨森;贺志宏;

    申请日2018-06-04

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘景祥

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 07:01:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B27/00 申请日:20180604

    实质审查的生效

  • 2018-11-02

    公开

    公开

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