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公开/公告号CN108732748A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201810560923.0
发明设计人 董士奎;赵磊;杨森;贺志宏;
申请日2018-06-04
分类号
代理机构哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;
代理人刘景祥
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2023-06-19 07:01:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B27/00 申请日:20180604
实质审查的生效
2018-11-02
公开
机译: 利用射频线圈阵列暗模降低磁共振成像中局部比吸收率的方法
机译: 射频线圈阵列暗模在磁共振成像中降低局部比吸收率的方法
机译: 滤波器设计方法和基于超材料结构的滤波器
机译:互补超材料和谐振器的多频带超薄偏振不灵敏太赫兹完美吸收体,基于高阶电磁共振
机译:超材料中基于高阶等离子体共振的超窄带完美吸收体
机译:近红外超材料吸收体中耦合间隙等离子体激元共振引起的吸收带增宽
机译:具有高吸收率的基于石墨烯的可调谐太赫兹超材料吸收体
机译:探索基于光栅的表面等离子体激元共振系统,以进行波矢量匹配,以增强等离子体激元模式和初步的表面等离子体激元增强的荧光询问。
机译:基于局部表面等离子体激元共振和亥姆霍兹共振的双频宽带超材料完美吸收体
机译:测量存储环中光束与光束线高阶模吸收体之间的相互作用
机译:使用空间多重等离子体共振金属方结构的多光谱近完美超材料吸收体(预印本)。