一种使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚

摘要

本发明公开了一种使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面通过热氧化法生长有SiO2薄膜的太阳能级单晶硅基片。通过本发明提供的使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约4mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18％～18.5％。