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公开/公告号CN108663827A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航天时代光电科技有限公司;
申请/专利号CN201810272816.8
发明设计人 周建伟;夏君磊;郑国康;刘瑞丹;乔建坤;宁智超;徐玉亮;
申请日2018-03-29
分类号G02F1/03(20060101);G02F1/035(20060101);
代理机构11009 中国航天科技专利中心;
代理人张丽娜
地址 100094 北京市海淀区丰滢东路1号
入库时间 2023-06-19 06:52:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-09
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/03 申请日:20180329
实质审查的生效
2018-10-16
公开
机译: 作为电光调制器,铌酸锂空电光调制器具有掺杂半导体-金属接触断路器极板偏置电极
机译: 基于硅基铌酸锂膜电光调制器阵列及其集成方法
机译: 基于铌酸锂 - 硅晶片的高速低压电光调制器
机译:一种新颖的宽带铌酸锂电光调制器
机译:铌酸锂光子晶体电光调制器
机译:薄膜锂铌酸锂和氮化硅混合平台上的副电压电光调制器
机译:基于慢波结构的薄膜铌酸锂电光调制器
机译:在太赫兹频段中提供了一种可扩展且节能的石墨烯基互连框架,包括芯片内和芯片间无线通信
机译:铌酸锂的芯片级腔光力学
机译:第一锂铌酸锂元表面电光调制器实现
机译:在低温下表征铌酸锂电光调制器