具有改善的光学和电限制的垂直腔面发射半导体激光器

摘要

本发明题为“具有改善的光学和电限制的垂直腔面发射半导体激光器”。本发明提供了一种光电设备(40)，所述光电设备(40)包括具有第一组外延层的半导体基板(42)，所述第一组外延层形成在所述基板的区域上，从而限定下分布布拉格反射器(DBR)叠堆(44)。形成在所述第一组之上的第二组外延层限定量子阱结构(46)，并且形成在所述第二组之上的第三组外延层限定上部DBR叠堆(48)。至少所述第三组外延层容纳在台面(88)中，所述台面(88)具有垂直于所述外延层的侧面。电介质涂层(94)在容纳所述第三组外延层的所述台面的至少一部分的所述侧面之上延伸。电极(54)耦接到所述外延层以便将激发电流施加至所述量子阱结构。