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公开/公告号CN108658597A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 昆明冶金高等专科学校;
申请/专利号CN201810458763.9
发明设计人 滕瑜;张军;宋群玲;李瑛娟;李悦熙薇;
申请日2018-05-15
分类号C04B35/524(20060101);C04B35/64(20060101);C25C3/12(20060101);
代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;
代理人郭普堂
地址 650000 云南省昆明市学府路388号
入库时间 2023-06-19 06:49:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/524 申请日:20180515
实质审查的生效
2018-10-16
公开
机译: 低活化铁素体放电等离子体烧结/结合方法
机译: 等离子体电极用碳化CAR粉体,其制备方法,碳化S烧结体和等离子体电极
机译: 一种用于碳化硅烧结的粉末状烧结助剂的制备方法
机译:脉冲电流烧结(火花等离子体烧结)和常规烧结致密化氧化铝粉末的表观活化能的比较-透明多晶氧化铝的应用
机译:通过机械研磨和火花等离子体烧结制造一种新型多尺寸结构化5083 Al合金,其具有改进的拉伸性能和火花等离子体烧结
机译:通过火花等离子体烧结的W-Cu复合材料的活化烧结
机译:一种大孔活化γ-Al2O3的制备方法
机译:烧结时间和烧结助剂组成对火花等离子体烧结碳化硅的核-边组织和材料性能的影响。
机译:一种基于选择性激光烧结的新型高性能碳纤维/聚酰胺12 /环氧三元复合材料的制备方法
机译:机械活化粉末的火花等离子体烧结:了解反应烧结过程中的相变
机译:开发一种经过统计验证的反应键合氮化硅注射成型方法,烧结反应键合氮化硅和烧结氮化硅。最终报告,1985年7月1日至1986年6月30日