一种应用于低电源电压的分数式带隙基准电路

摘要

本发明适用于集成电路领域，基于BCD工艺，提出了一种用于低电源电压的分数式带隙基准电路。该带隙基准电路主要结构为：PTAT与CTAT产生结构、带隙基准输出结构、偏置及电流源结构和用于钳位的运算放大器。带隙基准输出所在的支路中，节点1源入一个PTAT电流源，节点2沉出一个CTAT电流沉，并且PTAT电流源与CTAT电流沉的值大小相等，在节点1和节点2之间串接一个电阻。存在一个分压电路将CTAT电压分压并接入节点2，所以最后输出的参考电压是标准带隙基准电压(硅工艺下1.205V)的1/N(其中N为正整数)。由于该带隙基准电路可用于电源电压低于1V的电路中，所以，电路中的每个支路从电源电压到电源地串联的晶体管个数及其工作状态要认真考虑。