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一种Ni-B助剂改性的氧化铁纳米棒电极及制备方法和在光催化中的应用

摘要

本发明公开了一种由Ni‑B助剂改性的氧化铁纳米棒薄膜电极及其制备方法和其在光催化领域的应用,Ni‑B助催化剂通过电沉积的方式沉积于氧化铁纳米棒薄膜电极表面,为无定型层覆盖于电极表面,制备方法包括制备氧化铁纳米棒薄膜电极、电沉积Ni‑B助催化剂、阳极活化Ni‑B助催化剂三个步骤。本发明有效地提高了氧化铁纳米棒光电极表面产氧反应动力学,同时提高载流子分离效率,光电化学池分解水性能优越,并且制备方法简单、原料廉价易得,可实现低成本、大规模的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN108624908A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201710183038.0

  • 申请日2017-03-24

  • 分类号C25B11/06(20060101);C25B1/02(20060101);C25D5/54(20060101);C23C18/12(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王秀奎

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-06-19 06:40:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25B11/06 申请日:20170324

    实质审查的生效

  • 2018-10-09

    公开

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