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具有原子级平整表面的薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种具有原子级平整表面的薄膜的制备方法,包括:提供一衬底放置于反应腔室内,首先向反应腔室内通入包含有二硅氧烷的气体,在衬底表面上形成第一晶种层,然后向反应腔室内通入包含有环戊硅烷的气体,在所述第一晶种层上形成第二晶种层,最后在第二晶种层上形成薄膜,以此提高薄膜的表面平整度,达到原子级平整表面。

著录项

  • 公开/公告号CN108573852A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海新昇半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201710135017.1

  • 发明设计人 三重野文健;

    申请日2017-03-08

  • 分类号H01L21/02(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人余昌昊

  • 地址 201306 上海市浦东新区泥城镇云水路1000号

  • 入库时间 2023-06-19 06:40:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170308

    实质审查的生效

  • 2018-09-25

    公开

    公开

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