具有磁性隧道结及热稳定性增强层的存储器单元

摘要

本发明揭示一种磁阻随机存取存储器MRAM装置。本文描述的所述装置在磁性隧道结的自由层上方具有热稳定性增强层。所述热稳定性增强层改进所述自由层的所述热稳定性，增加所述自由层的磁矩而不使所述自由层的磁性方向在平面内。所述热稳定性增强层可由CoFeB铁磁材料层构成。