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公开/公告号CN108570647A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 佳能株式会社;
申请/专利号CN201810192417.0
发明设计人 广木珠代;
申请日2018-03-09
分类号C23C14/34(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人宋岩
地址 日本东京
入库时间 2023-06-19 06:37:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20180309
实质审查的生效
2018-09-25
公开
机译: 可通过在溅射靶材与基质之间安装隔离板而在高速下沉积金属氧化物的反应性溅射装置以及使用该方法的反应性溅射方法
机译: 用于反应性溅射的反应性溅射装置和方法
机译: 等离子体CVD装置,等离子体CVD法,反应性溅射装置及反应性溅射法
机译:通过金属模式反应性溅射和常规反应性溅射,以溅射配置从圆柱形阴极溅射介电单层
机译:反应性磁控溅射的电致变色特性由霓虹溅射WO3薄膜作为溅射气体
机译:溅射赤铁矿光阳极的电化学:金属直流溅射与反应性射频溅射的比较
机译:通过添加活性反应性氧来增强反应性溅射Al_2O_3沉积
机译:用于薄膜晶体管应用的氧化锌的反应性大功率脉冲磁控溅射
机译:镧的非反应性溅射沉积和氮化镧的反应性溅射沉积过程中结构形成的原位和实时监测
机译:Cu 4O3通过从氧化铜靶溅射的非反应性RF-磁控溅射沉积的薄膜
机译:反应性溅射钼。