一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法

摘要

本发明提供一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法。一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其中，包括如下步骤：S1.在待加工样品表面覆盖一层预铺膜层，预铺膜层的厚度为5~200nm；S2.在预铺膜层上制作一层金属薄层，金属薄层的厚度为3~20nm；S3.快速高温热处理使金属薄层转化为纳米级的金属岛状分布，成为掩膜。本发明的方法可以有效地控制金属纳米岛的大小与间隔，降低工艺难度要求，提高产品的一致性。