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公开/公告号CN108535893A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 北京科技大学;
申请/专利号CN201810251320.2
发明设计人 宋玉军;张伟伟;赵翠翠;韩泽欣;
申请日2018-03-26
分类号
代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司;
代理人张仲波
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
入库时间 2023-06-19 06:28:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-16
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/09 申请日:20180326
实质审查的生效
2018-09-14
公开
机译: 利用光子晶体结构来增强磁光克尔效应的方法,以及具有增强的磁光克尔效应的光子晶体,一种制造光子晶体的方法
机译: 利用光子晶体结构增强磁光克尔效应的方法,以及具有增强的磁光克尔效应的光子晶体,制造光子晶体的方法
机译: 利用光子晶体结构增强磁光克尔效应的方法
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机译:利用磁光克尔效应研究基于YIG薄膜的二维磁控晶体的磁化过程
机译:一种基于表面等离子体共振增强型极磁光克尔效应的新型电流传感机制
机译:利用磁光克尔效应测量重金属/铁磁体异质结构中的自旋轨道扭矩
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机译:利用磁光检测方法检测有色导体中的缺陷。阶段2