公开/公告号CN108456257A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-28
原文格式PDF
申请/专利权人 天津延生园生物科技有限公司;
申请/专利号CN201710094672.7
申请日2017-02-22
分类号
代理机构北京久维律师事务所;
代理人邢江峰
地址 300203 天津市北辰区双口镇农业产业园区西区8号
入库时间 2023-06-19 06:17:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-21
实质审查的生效 IPC(主分类):C08B37/00 申请日:20170222
实质审查的生效
2018-08-28
公开
公开
机译: 高纯度钇,高纯度钇的制备工艺,高纯度钇溅射靶,沉积有高纯度钇靶的金属栅膜,以及装有金属栅膜的半导体元件和器件
机译: 高纯度钇制备高纯度钇溅射靶金属栅薄膜的高纯度钇工艺,所述高纯度钇溅射靶金属栅薄膜沉积有所述的金属栅膜,所述器件具有半导体元件和器件
机译: 高纯度钇,高纯度钇的制备工艺,高纯度钇溅射靶,沉积有高纯度钇靶的金属栅膜,以及装有金属栅膜的半导体元件和器件