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一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池结构分为若干层，自上而下为：Ag/ITO/MoO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/074 申请公布日:20180810 申请日:20180411

发明专利申请公布后的视为撤回
2018-09-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/074 申请日:20180411

实质审查的生效
2018-08-10

公开

公开

1. 一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法 [P] . 中国专利： CN108389929A . 2018-08-10
2. 一种背接触晶体硅异质结太阳能电池及制备方法 [P] . 中国专利： CN108321241A . 2018-07-24
3. Heterojunction solar cell manufacturing method, heterojunction solar cell, and heterojunction crystal silicon electronic device [P] . 日本专利： JPWO2018168785A1 . 2019-11-07

机译：异质结太阳能电池的制造方法，异质结太阳能电池和异质结晶体硅电子器件
4. PREPARATION METHOD FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM OF CRYSTALLINE SILICON HETEROJUNCTION SOLAR CELL [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019223261A1 . 2019-11-28

机译：晶体硅异质结太阳能电池透明导电氧化物薄膜的制备方法
5. SOLAR CELL HAVING CRYSTALLINE SILICON P-N HOMOJUNCTION AND AMORPHOUS SILICON HETEROJUNCTIONS FOR SURFACE PASSIVATION [P] . CA2716402C . 2015-12-08

机译：具有晶体硅P-N同质结和非晶硅异质结以进行表面钝化的太阳能电池