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非晶金属薄膜非线性电阻器

摘要

非晶多组分金属膜(AMMF)可以用于改善例如电阻器、二极管及薄膜晶体管等电子元件的性能。AMMF的界面性能优于晶体金属膜,因此,AMMF和氧化膜界面处的电场更加均匀。AMMF电阻器(AMNR)可以构造为三层结构,包括非晶金属层、隧道绝缘体层和晶体金属层。通过修改材料的顺序、电极的图案及重叠区域的大小和数量,可以调节AMNR的I‑V性能特征。非共面AMNR具有五层结构,包括由金属氧化物隧道绝缘体层隔开的三个金属层,其中,使用非晶金属薄膜材料制造中电极。

著录项

  • 公开/公告号CN108352358A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 非结晶公司;

    申请/专利号CN201680058239.1

  • 发明设计人 肖恩·威廉·缪尔;

    申请日2016-10-12

  • 分类号

  • 代理机构北京鸿德海业知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人袁媛

  • 地址 美国俄勒冈州

  • 入库时间 2023-06-19 06:32:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20161012

    实质审查的生效

  • 2018-07-31

    公开

    公开

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