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一种掺铊碘化铯复合薄膜及其制备方法

摘要

一种掺铊碘化铯复合薄膜及其制备方法,属于闪烁体探测成像技术领域。本发明公开的复合薄膜包括自下而上依次沉积掺铊碘化铯薄膜层、微米级二氧化钛层和纳米级金属铝层,并且公开了基于真空蒸发法制备所述复合薄膜。本发明利用微米级二氧化钛膜的物理特性在显著提高复合薄膜光光转换产额的同时,也防止了探测器转换产生的过多紫外线对人体造成的伤害;利用金属铝的化学特性提高了掺铊碘化铯复合薄膜的抗潮解能力,极大克服了转换荧光损耗的问题。并且,本发明通过真空蒸发法制备掺铊碘化铯复合薄膜,制备方法简单可控,成本低,适于工业化生产。本发明对提高掺铊碘化铯闪烁体探测成像性能有重要的意义。

著录项

  • 公开/公告号CN108342688A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201810225624.1

  • 申请日2018-03-19

  • 分类号

  • 代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人葛启函

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 06:30:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/06 申请公布日:20180731 申请日:20180319

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20180319

    实质审查的生效

  • 2018-07-31

    公开

    公开

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