稳态晶体生长装置

摘要

本发明公开了一种稳态晶体生长装置，涉及晶体的生长装置技术领域。本发明通过所述装置可以实现多种方式进行晶体生长。第一种：保持循环熔体的流速恒定，通过控制多组循环熔体预热加热器的功率来控制生长温度的变化。第二种：保持多组循环熔体预热加热器的功率恒定，通过控制循环熔体的流速来控制生长温度的变化。第三种：降低多组循环熔体预热加热器的功率，同时加速循环泵中循环熔体的流动来控制生长温度的变化。第四种：保持循环熔体的流速和循环熔体预热加热器的功率恒定，逐渐降低水冷铜管的温度或者增加水冷铜管内冷却液的流速，来控制生长温度的变化。该种装置由于不是通过加热器直接给熔体加热，因而晶体生长过程平稳，易于制备高质量晶体。