使得能够快速读取多层3D NAND 以提高寿命容量的数据映射

摘要

在本公开中，公开了基于通过低读取延迟具有提高的和速率(即，寿命容量)的三维栅格的数据映射。在写入期间，在擦除之前多次写入至存储器位置。具体地，对于第一写入，存在每单元4/3个比特可用于写入，其为每单元大约10.67kB被用于数据存储。然后，对于第二写入，存在每单元一个比特，其为每单元8kB用于数据存储。如果考虑到具有128个不同单元的块并且写入32kB的数据，第一写入导致42.66个数据写入而第二写入导致32个数据写入，总共74.66个写入。在以前，对于32kB的写入数量将是64个写入。因此，通过在擦除之前两次写入，可以存储更多数据。