提高3D NAND Flash竞争力的关键技术分析

陈君汉

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提升3D NAND Flash竞争力将渐受重视,美光与英特尔阵营所开发Cell on Peri构造可缩减采3D NAND Flash解决方案的芯片面积,由于三星已提出类似的构造,且东芝亦可引进使3DNAND Flash与其系统LSI结合,Cell on Peri构造有机会成为相关业者提升3D NAND Flash竞争力的技术之一.

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来源
《集成电路应用》 |2017年第1期|54-56|共3页
作者
陈君汉;
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作者单位

武汉理工大学,湖北430070;

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正文语种 chi
中图分类结构;
关键词
半导体存储器; 3D NAND Flash; Cell on Peri;

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