基于渐变漂移区的耐高压GaN基JBS二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于渐变漂移区的耐高压GaN基JBS二极管及其制作方法，主要解决现有技术不能达到预期击穿电压的问题。其自下而上包括：阴极(1)、n型GaN衬底(2)、n型GaN漂移层(3)、n型AlxGaN结构层(4)、p型AlyGaN结构层(5)、多个p型GaN结构层(6)以及阳极(7)，其中n型AlxGaN结构层的Al组分x从0～0.1渐变，掺杂浓度为2～10×1016cm‑3，p型AlyGaN结构层的Al组分y从0.1～0渐变，掺杂浓度为2×1016cm‑3～2×1018cm‑3。本发明减少了量子隧穿效应，提高了器件的击穿电压，且制作该器件的工艺重复性和可控性高，可用于功率器件。