用于触点和互连金属化集成的腐蚀和/或蚀刻保护层

摘要

本公开内容涉及半导体结构，更具体地，涉及用于触点和互连金属化集成结构的腐蚀和/或蚀刻保护层和制造方法。所述结构包括在基材的沟道内形成的金属化结构和在所述金属化结构上的钴磷(CoP)层。所述CoP层经结构化以防止在蚀刻过程中金属从所述金属化结构迁移出和所述金属化结构的腐蚀。