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离子植入机以及将离子植入半导体衬底中的方法

摘要

一种离子植入机包括离解腔室,所述离解腔室位于所述离子植入机中。所述离解腔室具有用于接收气体的输入口及用于输出离子的输出口。真空腔室环绕所述离解腔室。多个磁性材料棒或板在所述离解腔室的至少两个侧上与所述离解腔室相邻。磁体磁性耦合至所述多个磁性材料棒或板。微波源被提供用于向所述离解腔室供应微波,以在所述离解腔室中引起电子回旋共振来将所述气体电离。本发明实施例的离子植入机可提高离子植入机的寿命及降低离子植入机的维护成本。

著录项

  • 公开/公告号CN108231514A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201711244023.7

  • 申请日2017-11-30

  • 分类号

  • 代理机构南京正联知识产权代理有限公司;

  • 代理人顾伯兴

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

  • 入库时间 2023-06-19 05:49:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/317 申请日:20171130

    实质审查的生效

  • 2018-06-29

    公开

    公开

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