法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-31
实质审查的生效 IPC(主分类):B01D3/32 申请日:20180321
实质审查的生效
2018-07-06
公开
公开
机译: 半导体器件的多晶硅膜的形成涉及将半导体衬底装载到沉积室中,以预定的流速将特定的氢化硅气体流入室中,并形成未掺杂的多晶硅膜。
机译: 基于能够监测空气中的减少气体的半导体传感器的装置,该装置能够减少气体传感器的重新启动时间
机译: 用于在半导体工艺中同时捕获氧化硅和多晶硅的气体附着剂组成和附着方法,以及使用该气体附着剂组成和制造半导体存储器的方法