硅衬底GaN基LED外延生长方法

摘要

本发明提出了一种硅衬底GaN基LED外延生长方法，采用Thomas Swan的LP‑MOCVD系统，选用Si(111)为衬底，三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)及高纯NH3分别为Ga、Al、In及N源，H2和N2为载气，硅烷(SiH4)和二茂镁(CP2Mg)分别为n型和p型掺杂剂；在生长前要对Si衬底进行清洗，以去除污染物和杂质，获得干净的表面。外延生长出了硅衬底GaN基LED外延片，并采用DCXRD对其结晶质量进行测试分析。结果表明：InGaN/GaN多量子阱的界面较平整,结晶质量较好；同时，采用两种方法计算获得的量子阱周期厚度基本一致。