公开/公告号CN108067277A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国地质大学(北京);
申请/专利号CN201611014508.2
申请日2016-11-15
分类号B01J27/24(20060101);B01J35/10(20060101);
代理机构
代理人
地址 100083 北京市海淀区学院路29号中国地质大学(北京)
入库时间 2023-06-19 05:25:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-19
实质审查的生效 IPC(主分类):B01J27/24 申请日:20161115
实质审查的生效
2018-05-25
公开
公开
机译: 掺Si的GaAs单晶晶片及其制备方法,以及由所述掺Si的GaAs单晶晶片生产的掺Si的GaAs单晶晶片
机译: 掺氮石墨烯量子点,掺氮石墨烯量子点和包含掺氮石墨烯量子点的太阳能电池的制备方法
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