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一种电场或磁场诱导下测量半导体光电材料瞬态光电压的方法

摘要

一种电场或磁场诱导下测量半导体光电材料瞬态光电压的方法,属于半导体光电材料光生电荷测量技术领域。其是基于瞬态光电压测量系统完成的,该测试系统由数字示波器、Nd:YAG激光器、前置放大器和样品池构成,各组成单元间通过BNC数据线连接;样品池自上至下,由上电极、云母片、光电材料层和下电极组成,下电极接地。由锁相放大器为样品池提供电压(电场),由两片不同极性的钕铁硼强磁铁为样品池提供磁场。电压施加在上、下电极上,上、下电极间形成电场,光电材料样品处在电场中,通过施加不同强度的电压,测量不同电场下的瞬态光电压。两片磁铁N、S极相对放置在样品池左右两侧,磁场方向平行于电极平面,通过施加不同强度的磁场,实现磁场诱导的瞬态光电压测量。

著录项

  • 公开/公告号CN108051630A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN201711296968.3

  • 申请日2017-12-08

  • 分类号G01R19/00(20060101);G01R31/26(20140101);

  • 代理机构22201 长春吉大专利代理有限责任公司;

  • 代理人刘世纯;王恩远

  • 地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号

  • 入库时间 2023-06-19 05:22:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R19/00 申请日:20171208

    实质审查的生效

  • 2018-05-18

    公开

    公开

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