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公开/公告号CN108028702A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201580083295.6
发明设计人 T.V.萨达戈潘;S.Y.金;J-C.陈;
申请日2015-09-22
分类号H04B10/548(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人郑浩;杨美灵
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 05:20:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H04B10/548 申请日:20150922
实质审查的生效
2018-05-11
公开
机译: 具有差分偏置控制的电光调制器
机译: 具有偏置电极的电光调制器,该偏置电极基于掺杂的半导体-金属触点,用于减轻直流偏置漂移
机译: 作为电光调制器,铌酸锂空电光调制器具有掺杂半导体-金属接触断路器极板偏置电极
机译:用于量子密钥分配系统中的电光调制器的自动偏置控制系统
机译:使用双极性脉冲的电光调制器偏置控制
机译:在分布式布里渊传感器系统中使用锁定放大器和比例积分微分控制器来稳定电光调制器偏置电压
机译:基于抖动的电光调制器偏置控制对分布式布里渊传感系统的影响
机译:宽带,速度匹配,行波电光调制器,采用新颖的覆板覆盖层。
机译:采用精密干涉测量的复合控制方法将超稳定偏置锁定连续波激光打到频率梳
机译:采用Poly-Si TFT的漏极偏置依赖性电气特性,以改善低功率AMOLED显示器中的灰度控制
机译:采用偏置发动机短舱的超音速目标导弹模型的跨声速稳定性和控制特性