通过OPC模型空间中的局部化监视结构进行集成电路制造的实时监视的方法

摘要

本发明涉及一种控制集成电路的制造的方法，包括步骤：在将在晶片上形成的结构的临界区域中确定作为通过掩模(MSK)施加于半导体晶片(W)的辐射强度的曲线的表征的参数，针对每个临界区域，将测量点放置在多维空间中，所述多维空间的每个尺寸对应于所述表征参数中的一个，将控制点放置在所述多维空间中，其散布在由最末端测量点划定界限的区域中，从而划定围绕该区域的包络(CE)的界限，针对每个控制点，定义每个相对应控制点的控制结构，产生包含该控制结构的掩模，对半导体晶片应用涉及所产生的掩模的工艺，并分析被转移到晶片的控制结构以检测其中的任何缺陷。