公开/公告号CN107993922A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201711242834.3
申请日2017-11-30
分类号H01L21/02(20060101);
代理机构31272 上海申新律师事务所;
代理人俞涤炯
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2023-06-19 05:16:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20171130
实质审查的生效
2018-05-04
公开
公开
机译: 具有埋入式栅电极和元件隔离膜的半导体和半导体制造方法,采用了同时形成埋入式栅电极和元件隔离膜的自对准双重刻蚀技术
机译: 在受控的按序交付中对客户订单进行重新排序,以避免由于零件缺失和/或缺陷而导致的生产停机时间和/或生产返工
机译: 在受控的按序交付中对客户订单进行重新排序,以避免由于零件缺失和/或缺陷而导致的生产停机时间和/或生产返工