CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极的制备方法，包括：S1、将纳米TiO2粉末和KOH溶液混合于100～200℃下反应10～20h，依次用去离子水和无水乙醇清洗；S2、然后将反应产物于50～80℃条件下烘烤1～3h后，得到TiO2纳米管；S3、制备CuInSe2纳米晶溶液，真空条件下，将CuCl和InCl3加入油胺中，在200℃条件下加入的硒，然后将反应液在200℃下保持2h后再升温至300℃，冷却后加入甲苯和去离子水分离产物，得到CuInSe2纳米晶溶液；S4、将TiO2纳米管浸泡于CuInSe2纳米晶溶液中，烘干后得到CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极。本发明可在TiO2纳米管光电极上制备出形貌和粒径可控的CuInSe2纳米晶，能够广泛应用于有机污染物的光催化分解。