一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法

摘要

本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种制备黑硅的方法。一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤：在硅片表面沉积一层Si3N4，旋涂一层光刻胶，覆盖上掩膜后，曝光，显影，后烘，把暴露出区域的Si3N4层刻蚀掉，洗去残留光刻胶；形成掩膜。依次对光刻过后的硅片进行超声清洗；碱刻蚀，酸处理，刻蚀；洗去硅片表面残余的金颗粒，即制得黑硅。本发明的方法具有实验设备较简单，变量易控等优点，利于大规模生产。