首页> 中国专利> 高功率激光二极管列阵的微通道冷却封装组件

高功率激光二极管列阵的微通道冷却封装组件

摘要

本发明与高功率激光二极管列阵有效冷却方式有关。该组件由硅片一玻璃片一硅片粘合而成,13mm×13mm×1mm。硅片内侧有化学蚀刻的200条微通道,二极管条粘附在微通道背面。泵送高压冷却液从中流过,实现冷却。本发明提出更有效的方法,在一次工艺中完成夹心层的粘合。本发明是将硅片,玻璃片,硅片三层材料叠好,放在恒温炉中两电极间实现,用于玻璃与金属(或单晶)之间的粘合。

著录项

  • 公开/公告号CN1103505C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN98102464.5

  • 发明设计人 戴特力;

    申请日1998-06-26

  • 分类号H01S5/024;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 400047 重庆市沙坪坝区

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-08-27

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2008-08-27

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2006-08-30

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:19980626

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2006-08-30

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:19980626

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2006-08-30

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:19980626

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2006-08-30

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:19980626

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2003-03-19

    授权

    授权

  • 2003-03-19

    授权

    授权

  • 1999-02-17

    公开

    公开

  • 1999-02-17

    公开

    公开

  • 1999-01-27

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1999-01-27

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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