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镁合金防腐方法及防腐镁合金件

摘要

本发明提供了一种镁合金防腐方法及防腐镁合金件,在镁合金基体表面制备具有导电性能的第一保护层后,将制备有第一保护层的镁合金基体置于具有填充成分的浸渗液中进行浸渗处理,这样浸渗液中的成分可渗入第一保护层的空隙中对各空隙进行填充,填充在各孔隙中的成分则形成填充颗粒。通过本发明提供的浸渗处理之后的镁合金基体上的第一保护层的空隙率在0.3%以下,远低于现有平均10%的空隙率。因此可以在很大程度上避免镁合金基体上的导电层的孔隙、微孔等空隙导致镁合金基体的腐蚀,大大提升镁合金的防腐蚀性能,同时又能使得镁合金表面导电,通用性更好。

著录项

  • 公开/公告号CN107794489A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中兴通讯股份有限公司;

    申请/专利号CN201610754358.2

  • 发明设计人 王金娥;刘金;邵聪;

    申请日2016-08-29

  • 分类号C23C4/18(20060101);C23C4/08(20160101);C23C4/129(20160101);C23C24/04(20060101);B05D1/06(20060101);B05D7/14(20060101);

  • 代理机构44281 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人江婷;李发兵

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦

  • 入库时间 2023-06-19 04:44:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C4/18 申请日:20160829

    实质审查的生效

  • 2018-03-13

    公开

    公开

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