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用于提升介电常数的薄膜电容器及其制作方法

摘要

本发明公开一种用于提升介电常数的薄膜电容器及其制作方法。薄膜电容器的制作方法包括:首先,将一承载基板放置在一加工机台上,其中加工机台具有多个沿一平面式生产线依序排列的加工区域;接着,形成交替地堆栈在承载基板上的多个金属层以及多个绝缘层,以完成一多层式堆栈结构的制作;然后,形成两个端电极结构,以分别包覆多层式堆栈结构的两相反侧端部。本发明通过加工机台的加工,使得多个金属层以及多个绝缘层能够交替地堆栈在承载基板上,借此以完成薄膜电容器的多层式堆栈结构的制作。每一个绝缘层包括一绝缘材料层以及多个混入绝缘材料层内的奈米材料,借此以增加多层式堆栈结构的介电常数。

著录项

  • 公开/公告号CN107768142A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 钰邦电子(无锡)有限公司;

    申请/专利号CN201610692995.1

  • 发明设计人 钱明谷;郑敦仁;

    申请日2016-08-19

  • 分类号

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人梁丽超

  • 地址 214106 江苏省无锡市锡山经济开发区联福路1201号

  • 入库时间 2023-06-19 04:42:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01G4/33 申请公布日:20180306 申请日:20160819

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-03-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G4/33 申请日:20160819

    实质审查的生效

  • 2018-03-06

    公开

    公开

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