一种利用光阴极得到极低发射度电子束的发射方法

摘要

本发明公开了一种利用光阴极得到极低发射度电子束的发射方法。本发明首次提出采用低温冷却和肖特基效应相结合的方法，将大幅降低碱金属锑化物光阴极的本征发射度，该方法有望将半导体光阴极的本征发射度由0.5～0.8mm.mrad/mm降低到<0.15mm.mrad/mm；本发明将有利于得到低发射度电子束，对于高重频X射线自由电子激光，UED等各方面都具有重要意义；本发明首次系统研究碱金属锑化物光阴极室温至20K温度时的性质，对于研究光阴极在超导电子枪及注入器中的表现具有重要意义。