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一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法

摘要

本发明涉及一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法,属于磁传感器领域。采用MEMS技术将非晶丝与微结构线圈集成,加工步骤为:(1)在Si衬底上溅射一层Cr/Cu种子层;(2)涂胶、曝光、显影,电镀铜形成底层导线;(3)去胶;(4)将非晶丝固定到Cr/Cu种子层上;(5)在非晶丝两端电镀Cu;(6)涂胶、曝光、显影,电镀铜形成微电感柱子;(7)涂胶、曝光、显影,电镀铜形成顶层导线;(11)去上层光刻胶,刻蚀种子层。(12)去下层光刻胶,刻蚀种子层。本发明克服了传统工艺制造的非晶丝GMI磁传感器体积大、阻抗一致性差的缺点,实现了以非晶丝为敏感元件的GMI磁传感器的微型化。

著录项

  • 公开/公告号CN107741576A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN201710825386.3

  • 申请日2017-09-14

  • 分类号

  • 代理机构北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人毛燕

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2023-06-19 04:40:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01R33/06 申请公布日:20180227 申请日:20170914

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R33/06 申请日:20170914

    实质审查的生效

  • 2018-02-27

    公开

    公开

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